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压电双晶片由多层压电陶瓷共烧而成，可独立控制每层陶瓷的驱动电压。压电双晶片的自由端可以弯曲产生位移，位移的幅度和方向与施加的电压具有函数关系。

根据环形双晶片致动器的不同应用场景，我们可以为您在性能参数和结构形状上提供产品定制。

• 驱动电压：不同的驱动电压可满足不同的位移需求，我们可以提供100V/120V/150V 等常见驱动电压，其他特殊的最大驱动电压也可根据客户需求灵活定制。
• 输出位移：输出位移主要取决于环形双晶片的结构，隐冠提供最大30μm的位移行程可选。
• 工作频率：环形双晶片的长效工作频率取决于器件的谐振频率和驱动电压等因素，隐冠可以根据客户需求灵活设计，环形双晶片最高使用频率支持2~5kHz，但需要相应地降低驱动电压，以保证双晶片稳定使用。
• 焊接线束：在满足AWG使用标准的情况下，可选配线束。为方便正负电极线中的连接，在性能变化的误差内，可选择焊点位置。
• 外形尺寸：环形双晶片的内径、外径和厚度可根据客户需求灵活定制；外径方面，最小尺寸可选8mm，最大尺寸可选30mm；内径方面，最小尺寸可选1mm，最大可选10mm。厚度方向最大可以支持2mm定制。