压电双晶片由压电陶瓷层和内电极共烧而成，可独立控制每层压电陶瓷的驱动电压。标准的驱动电压有0~24V和0~150V，并且满足低频、中频和高频应用。
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PAA-B20-08W |
PAA-B32-08W |
PAA-B25-07C |
PAA-B20-08HF |
PAA-B15HM-08 |
单位 |
公差 |
|
运动轴 |
Z |
Z |
Z |
Z |
Z |
|
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|
最大位移 |
±135 |
±450 |
+80 |
±110 |
+40 |
μm |
±15% |
|
迟滞 |
<15% |
<15% |
<15% |
<15% |
<15% |
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自由长度 |
18 |
30 |
21 |
12 |
12 |
mm |
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阻止力 |
2.0 |
1.4 |
0.5 |
2.5 |
5.0 |
N |
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| 电气性能 | |||||||
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驱动电压 |
0 - 150 |
0 - 150 |
0 - 24 |
0 - 150 |
0 - 24 |
V |
|
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谐振频率 |
0.93 |
0.35 |
25 |
3.1 |
13.1 |
kHz |
±15% |
|
介电损耗 |
<2.0% |
<2.0% |
<2.0% |
<2.0% |
<2.0% |
% |
|
|
电容 |
145（单侧） |
550（单侧） |
70（整体） |
280（单侧） |
2000 |
nF |
±15% |
| 其他 | |||||||
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工作温度范围 |
-25~130 |
-25~130 |
-25~130 |
-25~130 |
-25~130 |
℃ |
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电极 |
银 |
银 |
银 / 金 |
银 |
银 |
|
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居里温度 |
230 |
230 |
230 |
230 |
230 |
℃ |
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| 外观尺寸 | |||||||
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A |
20±0.1 |
32±0.1 |
25±0.1 |
20±0.1 |
15±0.5 |
mm |
|
|
B |
8±0.1 |
7.8±0.1 |
7.1±0.1 |
8±0.1 |
5.0±0.1 |
mm |
|
|
L |
0.8±0.05 |
0.8±0.05 |
0.5±0.05 |
0.8±0.05 |
1.2±0.1 |
mm |
|
|
MTTF |
15.3 |
13.7 |
6.1 |
13.8 |
13.8 |
year |
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*位移测试：驱动电压0~150V、公差±15%;
**推力测试：驱动电压0~24V，0~150V;
***电容测试条件：常温环境，1Vpp，1kHz，公差±15%;
****MTTF测试条件：150V、85%湿度、85℃环境
标准线束，长度75mm，AWG32，PTFE绝缘
可提供预装基板版本，产品型号加S
其他规格可根据客户需求进行定制
性能图
根据双晶片的应用场景，可与不同的结构件进行组配以满足应用需求。我们可以为您在性能参数和结构形状上提供产品定制。
