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压电双晶片弯曲致动器
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PAA 系列双晶片弯曲致动器
PAA 系列双晶片弯曲致动器
PAA 系列双晶片弯曲致动器
主要特点

  • 微米级分辨率
  • 线性位移输出
  • 高使用寿命
  • 驱动电压 0~24V 或 0~150V
  • 高居里温度 230℃

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主要应用
  • 激光技术与激光束控制
  • 医疗技术
  • 印刷技术
  • 加速度传感器
  • 光纤交换机
性能简介

由压电陶瓷层和内电极共烧而成,每层压电陶瓷驱动电压可独立控制,标准驱动电压有 0~24V 和 0~150V,适用于低频、中频和高频应用场景。

机械尺寸图


 

 

技术参数
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型号

PAA-B20-08W

PAA-B32-08W

PAA-B25-07C

PAA-B20-08HF

PAA-B15HM-08

单位

公差

运动轴

Z

Z

Z

Z

Z

-

-

最大位移

±135

±450

+80

±110

±40

μm

±15%

迟滞

<15%

<15%

<15%

<15%

<15%

-

-

自由长度

18

30

21

12

12

mm

-

最大负载

2.0

1.4

0.5

2.5

5.0

N

-

驱动电压

0 - 150

0 - 150

0 - 24

0 - 150

0 - 24

V

-

谐振频率

0.93

0.35

25

>3.1

13.1

K

±15%

介电损耗

<2.0%

<2.0%

<2.0%

<2.0%

<2.0%

-

-

电容

145(单侧)

550(单侧)

70(整体)

280(单侧)

2000

nF

±15%

工作温度范围

-25~130

-25~130

-25~130

-25~130

-25~130

-

电极

银 / 金

-

-

居里温度

230

230

230

230

230

-

外观尺寸 A

20±0.1

32±0.1

25±0.1

20±0.1

15±0.5

mm

-

外观尺寸 B

8±0.1

7.8±0.1

7.1±0.1

8±0.1

5.0±0.1

mm

-

外观尺寸 L

0.8±0.05

0.8±0.05

0.5±0.5

0.8±0.05

1.2±0.1

mm

-

MTTF

15.3

13.7

6.1

13.8

 

year

-

*位移测试:驱动电压0~150V、公差±15%; 
**推力测试:驱动电压0~24V,0~150V; 
***电容测试条件:常温环境,1Vpp,1kHz,公差±15%; 
****MTTF测试条件:150V、85%湿度、85℃环境
标准线束,长度75mm,AWG32,PTFE绝缘 
可提供预装基板版本,产品型号加S 
其他规格可根据客户需求进行定制

 

控制方法
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型号解读
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定制信息

      根据双晶片的应用场景,可与不同的结构件进行组配以满足应用需求。我们可以为您在性能参数和结构形状上提供产品定制。

 

  • 驱动电压:不同的驱动电压可满足不同的位移需求,可提供 6V、12V 和 24V 等常见电压。

  • 焊接线束:在满足 AWG 使用标准的情况下,可选配线束。为方便正负电极线的连接,在性能变化的误差内,可选择焊点位置。

  • 外形尺寸:长度方向可以选择 10mm、15mm、20mm 和 25mm 等,厚度方向可选择≥0.3mm。

  • 基座结构等其他规格:可根据客户需求进行定制。
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